Cu单晶纳米薄膜力学性能的计算模拟研究文献综述

Cu单晶纳米薄膜作为一种具有优异力学、电学和热学性能的材料，在微电子、航空航天等领域有着广泛的应用前景。

理解和预测其力学性能对于设计和优化相关器件至关重要。

计算模拟，特别是分子动力学（MD）方法，为研究纳米尺度材料的力学行为提供了强大的工具。

本文综述了近年来Cu单晶纳米薄膜力学性能计算模拟研究的最新进展，包括不同晶向、尺寸、温度、缺陷等因素对力学性能的影响。

此外，还讨论了不同模拟方法的优缺点以及未来研究方向。

关键词：Cu单晶纳米薄膜；力学性能；分子动力学模拟；尺寸效应；缺陷效应

随着纳米科技的迅速发展，纳米材料由于其独特的物理化学性质和广阔的应用前景，引起了人们的广泛关注。

作为一种重要的金属材料，Cu纳米材料在微电子器件、催化剂、传感器等领域具有巨大的应用潜力[1]。

在实际应用中，Cu纳米材料通常以薄膜的形式存在，其力学性能对于器件的可靠性和稳定性至关重要。

例如，在微电子芯片中，Cu薄膜作为互连线材料，其力学性能直接影响芯片的电学性能和使用寿命。