Cr, Mn, Fe原子吸附对WSi2N4单层电磁学性质的调控文献综述

文献综述

文 献 综 述1. 前言自2004年石墨烯[1]首次被制备以来，其独特的物化性质引发了人们对这种二维材料的研究热潮，Geim和Novoselov也由此获得2010年诺贝尔物理学奖。

石墨烯是一种由单层碳原子组成六角型呈蜂巢晶格的片状结构的材料。

石墨烯的物理化学性能非常独特，其拥有极高的载流子迁移率、极低的电阻率、高导热系数、优异的化学稳定性和热力学稳定性。

石墨烯在电子器件、催化、储能等领域都显示出广阔的应用前景[2]，但是其零带隙的特点阻碍了它在半导体器件领域的应用。

最近，实验上通过化学气相沉积法成功制备出了一种新型二维半导体材料：WSi2N4。

单层WSi2N4由于具有优异的机械性能、以及高的载流子迁移率，在电子器件中表现出良好的应用前景[4]。

但是，单层WSi2N4是非磁性的，限制了其在自旋电子器件中的应用[3]。

因此，如何在单层WSi2N4中诱导磁性，并且有效调控磁性是目前有待解决的重要课题。

2. MA2Z4的结构与特点单层MA2Z4（M =过渡金属，例如Mo， W和Nb；A = Si 或 Ge，Z = N，P 或 As），是一系列具有半导体特性、金属性和磁性的材料[5]。