文献综述
本课题的现状及发展趋势：
近年，由于氮化镓(GaN)属于宽禁带化合物半导体的范畴，与传统的硅(Si)单晶材料对比显示出优异特性，相应的材料与器件研究一直相当活跃。特别是GaN基场效应晶体管(FET)具有高功率、高频以及高温驱动等多样化的器件性能。预测其能超越且打破硅材料的极限，为此十分期待硅基器件无法实现的低能耗、小型化乃至高效率等高性能的电源单元模块能早日得以实现。本课题的主要内容是GaN基功率器件的性能改善研究；完成课题的条件是对半导体物理和器件等有比较深刻的理解，以及对器件工艺有所理解。成果形式为毕业论文的递交与毕业答辩。
本课题的价值：
GaN作为第三代半导体材料，与其他材料相比有着优越的材料特性，满足了无线通信，雷达领域对高频率、宽带宽、高效率、大功率的需要，对GaN的HFET器件进行优化有很强的现实意义。
参考文献：
[1] 赵子奇. AlGaN/GaNHFET击穿特性分析与耐压新结构[D]. 成都: 电子科技大学, 2013.50-55.
[2] C. Wang, Y. Hao, Q. Feng. New development in dry etchingof GaN [J]. Semiconductor Technology, 2016, 31(6): 409-413
[3] Y. F. Wu, A. SAXLER, M. MOORE. 30-W/mmGaN HEMTs by field plate optimization [J]. IEEE Electron Device Letters, 2004, 25(3):117-119.
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